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Etcher


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원산지

대한민국


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제품 상세 설명

Overview

Ion-Beam etching is a versatile process for pattern delineation and material modification.

The low pressure, line-of-sight nature of beam techniques provides a flexibility of

directional bombardment not available in other plasma processes. The ability to etch

virtually any material by the sputtering process opens a wide variety of diverse

applications.

 

Features

≻ High selectivity, uniform plasma

≻ Simple configuration makes maintenance easy

≻ The physical and chemical etching systems are controlled independently

≻ Low damage & contamination

≻ Physical etching using Ar Ion-Beam distributes reactive gases such as Cl2, He, BCl3 evenly around substrate.


System configuration

Substrate size

2” - 6” (50.8mm - 150mm)

Operating pressure (Torr)

> 1.0E-4 Torr

Uniformity within substrate /

substrate to substrate surfaces

± 5% max.

Ion source

3cm ~ 20scm (@1” ~ 8”)

Tilt / Rotation / Cooling

Ultimate Pressure


Korea Vacuum Tech  Ion Milling Series

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