APIS 300 Plasma Doping System은 진공상태의 Process Chamber 내부에 Dopant Gas를 Flow시키면서 Chamber 외부에서 RF Source Power를 인가시켜 Dopant Gas를 플라즈마 상태로 만들고 Chamber 내부에 놓여있는 웨이퍼에 Bias Power를 인가하여 이온화된 Dopant는 매우 균일하게 웨이퍼에 주입되어 고농도의 불순물 층이 형성되도록 하는 차세대 이온주입 장치이다.