멀티 칩 구현을 위해 Si 기판을 직접 뚫어 Etch하는 TSV(Through Silicon Via) 공정 전용 장비이며 분당 10um이상의 식각속도를 구현하여 현재 150 ~ 300 um 깊이의 Silicon Via hole을 식각할 수 있다.