㈜티씨케이는 1996년 일본 도카이카본(주)과 ㈜케이씨텍의 합작으로 설립된 기능성 카본소재 전문기업. 반도체, LED, 태양광 산업 분야의 핵심 소재 및 부품을 생산 공급하는 역할. 고순도 흑연 제품에 대한 국내 유일의 일괄 생산 시스템을 갖춘 기업. 최근에는 반도체 공정 부품에 활용되는 기능성 세라믹 소재를 독자 기술로 개발하여 양산 공급하는 전문 기업으로 변화를 추구.㈜티씨케이는1996년일본도카이카본(주)과㈜케이씨텍의합작으로설립된기능성카본소재전문기업.반도체,LED,태양광산업분야의핵심소재및부품을생산공급하는역할.고순도흑연제품에대한국내유일의일괄생산시스템을갖춘기업.최근에는반도체공정부품에활용되는기능성세라믹소재를독자기술로개발하여양산공급하는전문기업으로변화를추구.
대표 제품군/보유 기술대표제품군/보유기술
**Graphite Components (고순도 흑연 부품)**: 반도체용 실리콘 웨이퍼 및 태양전지용 웨이퍼 생산을 위한 Crystal Grower 장비 부품. 고온에 강한 고순도 흑연 부품으로 Outer, Hotzone, Heater 등 다양한 구성. CZ 공정용 고순도 흑연 Hot Zone 부품(Heater, Crucible, Gr Shield, Ring Reflector, Wafer Holder 등) 및 반도체 장비용 플레이트 등. 내열성, 비례적인 열 및 강성, 높은 열전도율, 금속보다 낮은 팽창, 높은 내화학성 특징.**GraphiteComponents(고순도흑연부품)**:반도체용실리콘웨이퍼및태양전지용웨이퍼생산을위한CrystalGrower장비부품.고온에강한고순도흑연부품으로Outer,Hotzone,Heater등다양한구성.CZ공정용고순도흑연HotZone부품(Heater,Crucible,GrShield,RingReflector,WaferHolder등)및반도체장비용플레이트등.내열성,비례적인열및강성,높은열전도율,금속보다낮은팽창,높은내화학성특징.
**SiC/TaC Coated Components (SiC/TaC 코팅 부품)**: 반도체 장비 세라믹 치구(Focus Ring, Shower Head, Dummy Wafer), SiC 단결정 성장, Epi, UVLED 장비 부품, Si 단결정 성장 부품. 초고순도, 내플라즈마 특성 우수, 우수한 고온 안정성(고온 공정 적합), 이방성, 내화학성 특징. GaN, GaAs 분위기에서 사용 가능하며 아웃가싱이 없는 초고순도 소재.**SiC/TaCCoatedComponents(SiC/TaC코팅부품)**:반도체장비세라믹치구(FocusRing,ShowerHead,DummyWafer),SiC단결정성장,Epi,UVLED장비부품,Si단결정성장부품.초고순도,내플라즈마특성우수,우수한고온안정성(고온공정적합),이방성,내화학성특징.GaN,GaAs분위기에서사용가능하며아웃가싱이없는초고순도소재.
**CVD SiC Components (CVD SiC 부품)**: CVD 공법으로 생산된 부품으로 Dry Etcher, Diffusion chamber용 부품의 수명 연장 및 수율 개선에 활용. SiC Ring, SiC Shower Head, SiC Dummy Wafer 등의 용도. 열 변형 없음, 아웃가싱 없음, Si 대비 긴 수명, 우수한 내화학성 특징. SiC Ring은 반도체 식각 공정에서 웨이퍼를 지지하고 고주파 플라즈마를 견디는 핵심 소모품. 고체 실리콘카바이드(Solid SiC)로 만든 부품은 CVD 방식으로 수 mm 두께까지 성장시켜 제조. LED Chip 생산용 Wafer Carrier 및 반도체 ALD 장비 Susceptor류도 주요 제품군. Solid SiC 부문 매출이 전체 매출의 약 79%를 차지하는 핵심 사업 영역.**CVDSiCComponents(CVDSiC부품)**:CVD공법으로생산된부품으로DryEtcher,Diffusionchamber용부품의수명연장및수율개선에활용.SiCRing,SiCShowerHead,SiCDummyWafer등의용도.열변형없음,아웃가싱없음,Si대비긴수명,우수한내화학성특징.SiCRing은반도체식각공정에서웨이퍼를지지하고고주파플라즈마를견디는핵심소모품.고체실리콘카바이드(SolidSiC)로만든부품은CVD방식으로수mm두께까지성장시켜제조.LEDChip생산용WaferCarrier및반도체ALD장비Susceptor류도주요제품군.SolidSiC부문매출이전체매출의약79%를차지하는핵심사업영역.
경쟁 우위 포인트경쟁우위포인트
**독보적인 기술력 및 시장 점유율**: CVD SiC 분야에서 전 세계 시장 점유율 70% 이상을 차지하는 선도적 위치. 특히 Solid SiC Ring은 세계 최초 양산 성공으로 독점적 지위를 확보.**독보적인기술력및시장점유율**:CVDSiC분야에서전세계시장점유율70%이상을차지하는선도적위치.특히SolidSiCRing은세계최초양산성공으로독점적지위를확보.
**수직계열화된 생산 시스템**: 고순도 흑연 제품의 국내 유일 일괄 생산 시스템(가공, 고순화, CVD SiC 코팅 공정)을 보유. 모회사인 일본 도카이카본으로부터 고품질 흑연 원재료를 안정적으로 공급받는 강점.**수직계열화된생산시스템**:고순도흑연제품의국내유일일괄생산시스템(가공,고순화,CVDSiC코팅공정)을보유.모회사인일본도카이카본으로부터고품질흑연원재료를안정적으로공급받는강점.
**혁신적인 신소재 개발 역량**: 반도체 공정 부품에 적용되는 기능성 세라믹 소재를 독자 기술로 개발하고 양산 공급하는 능력. SiC Ring 개발을 위한 전략적 연구개발 집중을 통한 성공적인 사업화.**혁신적인신소재개발역량**:반도체공정부품에적용되는기능성세라믹소재를독자기술로개발하고양산공급하는능력.SiCRing개발을위한전략적연구개발집중을통한성공적인사업화.
**글로벌 고객사와의 강력한 유대 관계**: Lam Research, Applied Materials, 삼성전자, SK하이닉스 등 글로벌 최고 장비 제조업체 및 반도체 업체와의 강력한 유대 관계 형성. 고객사의 요구에 철저하게 대응하며 사업화에 성공하는 노하우.**글로벌고객사와의강력한유대관계**:LamResearch,AppliedMaterials,삼성전자,SK하이닉스등글로벌최고장비제조업체및반도체업체와의강력한유대관계형성.고객사의요구에철저하게대응하며사업화에성공하는노하우.
**특허 기반의 기술 보호**: SiC 링 제조 방법 관련 특허의 유효성 인정과 특허 무효 소송 승소를 통한 기술적 우위 확보. '열팽창계수 특허' 및 'Layer 특허'의 유효성을 공식적으로 인정받은 점.**특허기반의기술보호**:SiC링제조방법관련특허의유효성인정과특허무효소송승소를통한기술적우위확보.'열팽창계수특허'및'Layer특허'의유효성을공식적으로인정받은점.
**재무적 안정성**: 무차입 경영을 유지하며 높은 영업이익률을 기록하는 탄탄한 재무 구조. 지속 가능한 높은 수율과 효율적인 생산 시스템을 통한 가격 경쟁력 확보.**재무적안정성**:무차입경영을유지하며높은영업이익률을기록하는탄탄한재무구조.지속가능한높은수율과효율적인생산시스템을통한가격경쟁력확보.
적용 산업적용산업
반도체 산업 (식각 공정, Crystal Grower 장비, ALD 장비, Diffusion Chamber 등 반도체 제조 공정 전반)반도체산업(식각공정,CrystalGrower장비,ALD장비,DiffusionChamber등반도체제조공정전반)
LED 산업 (MOCVD 장비, LED Chip 생산용 Wafer Carrier 등)LED산업(MOCVD장비,LEDChip생산용WaferCarrier등)
태양광 산업 (Crystal Grower 장비, 태양전지용 실리콘 웨이퍼 생산)태양광산업(CrystalGrower장비,태양전지용실리콘웨이퍼생산)
2차 전지 산업 (에너지 소재, 실리콘 음극재 연구개발 등 신성장 동력 확보 노력)2차전지산업(에너지소재,실리콘음극재연구개발등신성장동력확보노력)
주요 시장주요시장
대한민국, 중국대한민국,중국
미국 (Lam Research, Applied Materials 등 주요 고객사 소재)미국(LamResearch,AppliedMaterials등주요고객사소재)
인증/특허인증/특허
**특허**: SiC 링 제조 방법 관련 특허의 유효성 인정. 와이엠씨 및 와이컴과의 SiC 링 특허침해 및 손해배상 청구 소송에서 승소 및 상호 합의로 종결. 디에스테크노와의 특허 무효 소송에서 승소하여 SiC 링 독자 제조 기술을 보호. '열팽창계수 특허'와 'Layer 특허'의 유효성을 공식적으로 인정받은 기술력. 특허 제1866869호는 X-회절 피크의 회절 강도비(I)가 1.5 미만인 SiC 소재 및 SiC 복합 소재에 관한 기술.**특허**:SiC링제조방법관련특허의유효성인정.와이엠씨및와이컴과의SiC링특허침해및손해배상청구소송에서승소및상호합의로종결.디에스테크노와의특허무효소송에서승소하여SiC링독자제조기술을보호.'열팽창계수특허'와'Layer특허'의유효성을공식적으로인정받은기술력.특허제1866869호는X-회절피크의회절강도비(I)가1.5미만인SiC소재및SiC복합소재에관한기술.
**인증 및 수상**: ISO9001 인증 (1998년). 국무총리상 (2001년), 유망중소기업 선정 (2001년), 신기술·신경영 대상 (2004년) 수상. 대한민국 기술대상 장관상 (2015년), 삼성전자 혁신우수협력사상 (2016년), 국무총리 모범납세자상 (2016년) 등 다수 수상. 어플라이드 머티어리얼즈 Supplier Aftermarket Collaboration Award (2016년) 및 Accelerated Growth and Performance Award (2017년) 수상. 램리서치 Supplier Excellence Award (2017년), Best Supplier Award (2021년), NPI 성과 우수상 (2024년) 수상. 삼성전자 Best Contribution Award (2018년, 2019년) 수상. SEMI INNOVATION AWARD (2020년), 경기도 성실납세자 선정 (2020년). 2021년 무역의 날 1억불 수출의 탑 수상. 산업통상자원부 첨단기술/제품 확인서 (2024년). SK Siltron Best Partner 수상 (2025년), TEL Excellent Achievement 수상 (2025년). 안성시 좋은 일자리 기업 선정 (2024년).**인증및수상**:ISO9001인증(1998년).국무총리상(2001년),유망중소기업선정(2001년),신기술·신경영대상(2004년)수상.대한민국기술대상장관상(2015년),삼성전자혁신우수협력사상(2016년),국무총리모범납세자상(2016년)등다수수상.어플라이드머티어리얼즈SupplierAftermarketCollaborationAward(2016년)및AcceleratedGrowthandPerformanceAward(2017년)수상.램리서치SupplierExcellenceAward(2017년),BestSupplierAward(2021년),NPI성과우수상(2024년)수상.삼성전자BestContributionAward(2018년,2019년)수상.SEMIINNOVATIONAWARD(2020년),경기도성실납세자선정(2020년).2021년무역의날1억불수출의탑수상.산업통상자원부첨단기술/제품확인서(2024년).SKSiltronBestPartner수상(2025년),TELExcellentAchievement수상(2025년).안성시좋은일자리기업선정(2024년).