큐에스아이는 레이저 다이오드 기반의 화합물 반도체 전문 제조사 [cite: database, 2, 30]. 레이저 다이오드 완제품 판매를 주력으로 하며, VCSEL, RF소자(MMIC), Micro LED 분야에서 파운드리 서비스 및 소자 제작 서비스를 제공하는 기업 [cite: database, 2, 5, 27]. 광반도체 원천 기술 확보와 고객 맞춤형 제품 생산을 위한 토탈 솔루션 체계를 구축한 기업. 산업용 센서, 로봇, 프린터 등 다양한 응용처에 제품을 공급하며 글로벌 고객군을 확보한 기업.큐에스아이는레이저다이오드기반의화합물반도체전문제조사[cite:database,2,30].레이저다이오드완제품판매를주력으로하며,VCSEL,RF소자(MMIC),MicroLED분야에서파운드리서비스및소자제작서비스를제공하는기업[cite:database,2,5,27].광반도체원천기술확보와고객맞춤형제품생산을위한토탈솔루션체계를구축한기업.산업용센서,로봇,프린터등다양한응용처에제품을공급하며글로벌고객군을확보한기업.
대표 제품군/보유 기술대표제품군/보유기술
Laser Diode (LD): 큐에스아이의 주력 제품으로, 635nm~680nm 파장의 레드 레이저와 780nm~940nm 파장의 적외선(IR) 레이저 제품군 보유. 레드 레이저는 5mW~50mW, IR 레이저는 최대 750mW(일반적으로 5mW~300mW)의 출력 범위 제공. QL80S4HD-Y (500mW 808nm), QL80R4SD (300mW 808nm), QL78D6S-A/B/C (5mW 780nm), QL65F73A/B (10mW 650nm) 등의 모델을 포함. 다중 빔 레이저 다이오드 제조 기술 및 고출력 반도체 레이저 제작 기술 보유.LaserDiode(LD):큐에스아이의주력제품으로,635nm~680nm파장의레드레이저와780nm~940nm파장의적외선(IR)레이저제품군보유.레드레이저는5mW~50mW,IR레이저는최대750mW(일반적으로5mW~300mW)의출력범위제공.QL80S4HD-Y(500mW808nm),QL80R4SD(300mW808nm),QL78D6S-A/B/C(5mW780nm),QL65F73A/B(10mW650nm)등의모델을포함.다중빔레이저다이오드제조기술및고출력반도체레이저제작기술보유.
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser): 파운드리 서비스 및 소자 제작 서비스를 제공하는 제품군 [cite: database, 2, 5, 27]. 790nm~940nm 파장대의 VCSEL 제품 개발 능력 보유. 단일 접합 및 다중 접합 구조의 에피 성장 기술, VCSEL 어레이 소자 설계 및 제조 기술을 핵심 역량으로 활용. VCSEL Epitaxial Wafer (940nm, 1J,2J,3J,5J,7J), QC85V-S-024 (850nm, 130mW, 24emitter Chip), QC94V-S-594 (940nm, 4000mW, 594emitter Chip) 등의 모델 제공.VCSEL(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser):파운드리서비스및소자제작서비스를제공하는제품군[cite:database,2,5,27].790nm~940nm파장대의VCSEL제품개발능력보유.단일접합및다중접합구조의에피성장기술,VCSEL어레이소자설계및제조기술을핵심역량으로활용.VCSELEpitaxialWafer(940nm,1J,2J,3J,5J,7J),QC85V-S-024(850nm,130mW,24emitterChip),QC94V-S-594(940nm,4000mW,594emitterChip)등의모델제공.
RF 소자 (MMIC - Monolithic Microwave Integrated Circuit): 파운드리 서비스 및 소자 제작 서비스를 제공하는 분야 [cite: database, 2, 5, 27]. InP HEMT 기반의 초고주파 및 초저잡음 특성 구현 기술 보유. 100nm 게이트 길이를 적용한 INP-DHEMT-100 PDK를 통해 4K 이하 극저온 환경에서 안정적인 성능 제공. 차세대 50nm 게이트 길이 INP-DHEMT-050 PDK 개발을 통해 THz 대역 접근 가능성 확보 목표.RF소자(MMIC-MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit):파운드리서비스및소자제작서비스를제공하는분야[cite:database,2,5,27].InPHEMT기반의초고주파및초저잡음특성구현기술보유.100nm게이트길이를적용한INP-DHEMT-100PDK를통해4K이하극저온환경에서안정적인성능제공.차세대50nm게이트길이INP-DHEMT-050PDK개발을통해THz대역접근가능성확보목표.
Micro LED: 파운드리 서비스 및 소자 제작 서비스를 제공하는 분야 [cite: database, 2, 5, 27]. 디스플레이용 적색 Micro LED 에피 파운드리 및 소자 제작 서비스 제공. 0.5um에서 100um에 이르는 다양한 크기의 소자 생산 능력 보유. 에피 구조 및 성장 기술, 웨이퍼 본딩 기술(접착/공융 본딩)을 핵심 기술로 활용.MicroLED:파운드리서비스및소자제작서비스를제공하는분야[cite:database,2,5,27].디스플레이용적색MicroLED에피파운드리및소자제작서비스제공.0.5um에서100um에이르는다양한크기의소자생산능력보유.에피구조및성장기술,웨이퍼본딩기술(접착/공융본딩)을핵심기술로활용.
경쟁 우위 포인트경쟁우위포인트
수직 통합 생산 시스템: Chip 디자인부터 패키징까지 전 공정을 자체적으로 진행하는 일괄 생산 시스템 구축. 이는 제품의 안정적인 품질 관리와 고객 요구에 대한 신속한 대응 능력의 기반.수직통합생산시스템:Chip디자인부터패키징까지전공정을자체적으로진행하는일괄생산시스템구축.이는제품의안정적인품질관리와고객요구에대한신속한대응능력의기반.
고객 맞춤형 솔루션 제공: 표준 제품 중심의 대기업과 차별화된 고객 맞춤형 파장, 출력, 형태의 제품을 유연하게 제공하는 공급 체계. 이는 해외 고객사 확보에 큰 도움을 주는 요소.고객맞춤형솔루션제공:표준제품중심의대기업과차별화된고객맞춤형파장,출력,형태의제품을유연하게제공하는공급체계.이는해외고객사확보에큰도움을주는요소.
화합물 반도체 원천 기술력: 20년 이상 축적된 레이저 다이오드 분야의 기술력과 신 소자 개발 역량. 특히 InP HEMT 기반 극저온 저잡음 증폭기(MMIC) 개발 및 50nm 게이트 길이 차세대 PDK 개발 목표는 기술 선도력 입증.화합물반도체원천기술력:20년이상축적된레이저다이오드분야의기술력과신소자개발역량.특히InPHEMT기반극저온저잡음증폭기(MMIC)개발및50nm게이트길이차세대PDK개발목표는기술선도력입증.
차세대 성장 동력 확보: LiDAR 센서, VCSEL, Micro LED, HEMT 기반 전력 반도체, 6G 통신용 고주파 소자, 위성통신 및 테라헤르츠(THz) 응용 소자 등으로 기술 포트폴리오를 확장하며 미래 시장 선점 노력. VCSEL 및 Flash LiDAR 센서모듈 관련 국책과제 주관기관 참여를 통한 기술 고도화 및 상용화 로드맵 확보.차세대성장동력확보:LiDAR센서,VCSEL,MicroLED,HEMT기반전력반도체,6G통신용고주파소자,위성통신및테라헤르츠(THz)응용소자등으로기술포트폴리오를확장하며미래시장선점노력.VCSEL및FlashLiDAR센서모듈관련국책과제주관기관참여를통한기술고도화및상용화로드맵확보.
글로벌 시장 및 고객 네트워크: 미국, 유럽, 일본, 중국, 대만 등 주요 시장에 안정적인 공급망과 폭넓은 글로벌 고객 네트워크 구축. 수출 비중이 87.83%에 달하는 수출 중심 기업.글로벌시장및고객네트워크:미국,유럽,일본,중국,대만등주요시장에안정적인공급망과폭넓은글로벌고객네트워크구축.수출비중이87.83%에달하는수출중심기업.
VCSEL: LiDAR (자율주행차, 산업용), 3D 이미지 센서 (스마트폰 3D 센싱, 안면 인식), 히터, 드론.VCSEL:LiDAR(자율주행차,산업용),3D이미지센서(스마트폰3D센싱,안면인식),히터,드론.
RF 소자 (MMIC): 양자 컴퓨팅 (극저온 저잡음 증폭기), 우주, 방산, 통신 (6G 통신용 고주파 소자, 위성통신, 테라헤르츠 응용).RF소자(MMIC):양자컴퓨팅(극저온저잡음증폭기),우주,방산,통신(6G통신용고주파소자,위성통신,테라헤르츠응용).
Micro LED: 차세대 디스플레이 (Red Micro LED for displays).MicroLED:차세대디스플레이(RedMicroLEDfordisplays).
주요 시장주요시장
일본, 중국, 대만, 한국일본,중국,대만,한국
독일, 기타 유럽 국가독일,기타유럽국가
미국미국
인증/특허인증/특허
반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법에 대한 특허 취득 (2007년). 이 기술은 고출력 반도체 레이저 제작 시 리지의 형태를 제어하여 실 굴절률 도파로를 구현하는 기술.반도체레이저소자및그제조방법에대한특허취득(2007년).이기술은고출력반도체레이저제작시리지의형태를제어하여실굴절률도파로를구현하는기술.
레이저를 이용한 거리 측정 시스템 관련 특허 취득 (2013년).레이저를이용한거리측정시스템관련특허취득(2013년).
다중 빔 레이저 다이오드 및 제조 방법 관련 특허 취득 (2008년).다중빔레이저다이오드및제조방법관련특허취득(2008년).
레이저 다이오드 관련 등록 특허 10건 보유 (2020년 기준).레이저다이오드관련등록특허10건보유(2020년기준).
극저온 환경에서 세계 최고 수준의 고주파 성능(813GHz fT, 807GHz fmax)을 기록한 인듐갈륨비소(InGaAs) 기반 HEMT 기술 보유. 이는 양자 컴퓨팅, 우주 항공, 초고감도 센서 등 차세대 기술 분야에 필수적인 요소.극저온환경에서세계최고수준의고주파성능(813GHzfT,807GHzfmax)을기록한인듐갈륨비소(InGaAs)기반HEMT기술보유.이는양자컴퓨팅,우주항공,초고감도센서등차세대기술분야에필수적인요소.
VCSEL 및 Flash LiDAR 센서모듈 관련 국책과제 주관기관 참여를 통한 기술 고도화 및 상용화 로드맵 확보.VCSEL및FlashLiDAR센서모듈관련국책과제주관기관참여를통한기술고도화및상용화로드맵확보.