기업 기본 정보
운영여부
운영중
업데이트
2025-11-17
기업 개요
- 한줄 요약
- Okmetic은 세계 7위의 실리콘 웨이퍼 제조업체로, MEMS, 센서, RF 필터 및 장치, 전력 애플리케이션 제조를 위한 고급 맞춤형 실리콘 웨이퍼를 공급하는 기업. 고부가가치 맞춤형 실리콘 웨이퍼 솔루션을 통해 고객의 장치 성능 향상 및 총 소유 비용 절감에 기여하는 기업. 특히 150-200mm 웨이퍼 시장에서 광범위한 포트폴리오와 기술 리더십을 보유한 기업.Okmetic은 세계 7위의 실리콘 웨이퍼 제조업체로, MEMS, 센서, RF 필터 및 장치, 전력 애플리케이션 제조를 위한 고급 맞춤형 실리콘 웨이퍼를 공급하는 기업. 고부가가치 맞춤형 실리콘 웨이퍼 솔루션을 통해 고객의 장치 성능 향상 및 총 소유 비용 절감에 기여하는 기업. 특히 150-200mm 웨이퍼 시장에서 광범위한 포트폴리오와 기술 리더십을 보유한 기업.
- 대표 제품군/보유 기술
- 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 웨이퍼: Bonded SOI (BSOI), Cavity SOI (C-SOI®), Enhanced SOI (E-SOI®), EC-SOI, Terrace Free SOI, High Resistivity BSOI, Power Management SOI 웨이퍼 등 다양한 SOI 제품군 보유. BSOI는 MEMS, 센서, 전력 및 RF 장치 제조를 위한 최적의 플랫폼을 제공하며, 0.3 SOI, DSOI, LSOI, Thick SOI와 같은 변형 포함. C-SOI®는 내장형 밀봉 캐비티를 특징으로 하며, 부분적으로 제작된 센서 또는 전자 장치로 간주되어 MEMS 및 RF 제조 공정을 간소화하고 비용 효율성을 높이는 기술. E-SOI®는 200mm 웨이퍼에서 ±0.1 μm의 뛰어난 소자층 두께 균일성을 제공하여 실리콘 포토닉스 및 광학 MEMS 장치에 적합한 플랫폼. EC-SOI는 E-SOI®의 균일성과 C-SOI®의 캐비티 구조를 결합한 기술로, PMUT 및 CMUT와 같은 고급 MEMS 장치에 최적화된 플랫폼 제공. Terrace Free SOI는 웨이퍼의 유효 면적을 최대화하여 웨이퍼당 더 많은 칩 생산을 가능하게 하는 기술. High Resistivity BSOI 웨이퍼는 고주파 밀리미터파 대역 장치에 필요한 낮은 손실 구조를 제공하는 제품. Power Management SOI 웨이퍼는 전력 장치 게이트 드라이버, 배터리 및 전력 관리 IC, 지능형 전력 모듈 등 스마트 전력 장치에 최적화된 플랫폼.실리콘 온 인슐레이터(SOI) 웨이퍼: Bonded SOI (BSOI), Cavity SOI (C-SOI®), Enhanced SOI (E-SOI®), EC-SOI, Terrace Free SOI, High Resistivity BSOI, Power Management SOI 웨이퍼 등 다양한 SOI 제품군 보유. BSOI는 MEMS, 센서, 전력 및 RF 장치 제조를 위한 최적의 플랫폼을 제공하며, 0.3 SOI, DSOI, LSOI, Thick SOI와 같은 변형 포함. C-SOI®는 내장형 밀봉 캐비티를 특징으로 하며, 부분적으로 제작된 센서 또는 전자 장치로 간주되어 MEMS 및 RF 제조 공정을 간소화하고 비용 효율성을 높이는 기술. E-SOI®는 200mm 웨이퍼에서 ±0.1 μm의 뛰어난 소자층 두께 균일성을 제공하여 실리콘 포토닉스 및 광학 MEMS 장치에 적합한 플랫폼. EC-SOI는 E-SOI®의 균일성과 C-SOI®의 캐비티 구조를 결합한 기술로, PMUT 및 CMUT와 같은 고급 MEMS 장치에 최적화된 플랫폼 제공. Terrace Free SOI는 웨이퍼의 유효 면적을 최대화하여 웨이퍼당 더 많은 칩 생산을 가능하게 하는 기술. High Resistivity BSOI 웨이퍼는 고주파 밀리미터파 대역 장치에 필요한 낮은 손실 구조를 제공하는 제품. Power Management SOI 웨이퍼는 전력 장치 게이트 드라이버, 배터리 및 전력 관리 IC, 지능형 전력 모듈 등 스마트 전력 장치에 최적화된 플랫폼.
- 단면 연마(SSP) 웨이퍼: 표면 MEMS, 캐핑, RF 및 전력 장치를 위한 플랫폼으로, 사내 크리스탈 성장 및 다양한 웨이퍼 재료 선택을 통해 맞춤형 솔루션 제공. 150-200mm 직경으로 제공되며, 안티몬, 비소, 인, 붕소 등 다양한 도펀트, <100>, <110>, <111> 또는 오프-오리엔티드 결정 방향, 400~1,150 µm 두께, <0.001~>10,000 Ohm-cm 저항률 등 맞춤형 파라미터 제공.단면 연마(SSP) 웨이퍼: 표면 MEMS, 캐핑, RF 및 전력 장치를 위한 플랫폼으로, 사내 크리스탈 성장 및 다양한 웨이퍼 재료 선택을 통해 맞춤형 솔루션 제공. 150-200mm 직경으로 제공되며, 안티몬, 비소, 인, 붕소 등 다양한 도펀트, <100>, <110>, <111> 또는 오프-오리엔티드 결정 방향, 400~1,150 µm 두께, <0.001~>10,000 Ohm-cm 저항률 등 맞춤형 파라미터 제공.
- 양면 연마(DSP) 웨이퍼: 1985년부터 공급되어 표면 MEMS, 캐핑, RF 및 전력 장치 플랫폼으로 사용되는 제품. 뛰어난 두께 균일성, 방향 정확도, 결정 품질을 제공하며, 양면 리소그래피, 웨이퍼 본딩, 정밀 정렬 마크가 필요한 MEMS 장치 제조에 이상적인 플랫폼. 150-200mm 직경으로 제공되며, SSP 웨이퍼와 유사하게 다양한 도펀트, 결정 방향, 두께, 저항률을 맞춤 설정 가능.양면 연마(DSP) 웨이퍼: 1985년부터 공급되어 표면 MEMS, 캐핑, RF 및 전력 장치 플랫폼으로 사용되는 제품. 뛰어난 두께 균일성, 방향 정확도, 결정 품질을 제공하며, 양면 리소그래피, 웨이퍼 본딩, 정밀 정렬 마크가 필요한 MEMS 장치 제조에 이상적인 플랫폼. 150-200mm 직경으로 제공되며, SSP 웨이퍼와 유사하게 다양한 도펀트, 결정 방향, 두께, 저항률을 맞춤 설정 가능.
- 고저항 RFSi® 웨이퍼: Advanced Magnetic Czochralski (A-MCz®) 결정 성장 방식으로 제조된 SSP 및 DSP 웨이퍼로, 낮은 산소 함량(low Oi)과 최대 >7,000 Ohm-cm의 매우 높고 안정적인 저항률을 결합한 제품. Engineered High Resistivity 웨이퍼는 트랩-리치(trap-rich) 층을 추가하여 RF 손실을 더욱 최소화하며, Engineered Ultra High Resistivity 웨이퍼는 10,000 Ohm-cm 이상의 저항률과 효율적인 트랩-리치 층을 통해 RF 장치의 기판 유도 손실 및 비선형성을 거의 제로에 가깝게 만드는 기술.고저항 RFSi® 웨이퍼: Advanced Magnetic Czochralski (A-MCz®) 결정 성장 방식으로 제조된 SSP 및 DSP 웨이퍼로, 낮은 산소 함량(low Oi)과 최대 >7,000 Ohm-cm의 매우 높고 안정적인 저항률을 결합한 제품. Engineered High Resistivity 웨이퍼는 트랩-리치(trap-rich) 층을 추가하여 RF 손실을 더욱 최소화하며, Engineered Ultra High Resistivity 웨이퍼는 10,000 Ohm-cm 이상의 저항률과 효율적인 트랩-리치 층을 통해 RF 장치의 기판 유도 손실 및 비선형성을 거의 제로에 가깝게 만드는 기술.
- 패턴 웨이퍼 및 TSV 웨이퍼: 내장형 패턴과 매립형 캐비티(C-SOI®)를 갖춘 SSP, DSP 및 SOI 웨이퍼 제공. 폴리실리콘 충전 TSV(Through Silicon Vias)는 실리콘 웨이퍼를 통한 전기적 연결을 가능하게 하여 MEMS 장치의 다이 크기를 줄이고 층간 전기 연결 및 3D MEMS 통합을 지원하는 기술.패턴 웨이퍼 및 TSV 웨이퍼: 내장형 패턴과 매립형 캐비티(C-SOI®)를 갖춘 SSP, DSP 및 SOI 웨이퍼 제공. 폴리실리콘 충전 TSV(Through Silicon Vias)는 실리콘 웨이퍼를 통한 전기적 연결을 가능하게 하여 MEMS 장치의 다이 크기를 줄이고 층간 전기 연결 및 3D MEMS 통합을 지원하는 기술.
- 경쟁 우위 포인트
- 기술 리더십 및 전문성: MEMS, 센서, RF 필터, 전력 장치 제조용 고급 맞춤형 실리콘 웨이퍼 분야의 기술 리더십을 보유한 기업. 특히 SOI 웨이퍼 기술의 선구자로서 1990년대부터 기술 개발을 시작하여 2001년부터 SOI 웨이퍼를 양산하며 20년 이상의 전문성을 축적.기술 리더십 및 전문성: MEMS, 센서, RF 필터, 전력 장치 제조용 고급 맞춤형 실리콘 웨이퍼 분야의 기술 리더십을 보유한 기업. 특히 SOI 웨이퍼 기술의 선구자로서 1990년대부터 기술 개발을 시작하여 2001년부터 SOI 웨이퍼를 양산하며 20년 이상의 전문성을 축적.
- 광범위한 제품 포트폴리오 및 맞춤형 솔루션: 150-200mm 직경의 SSP, DSP, SOI, 패턴, 고저항 RFSi®, 전력, TSV 웨이퍼 등 시장에서 가장 광범위한 웨이퍼 포트폴리오를 제공. 고객의 특정 공정 및 제품 요구 사항에 맞춰 수율 향상, 공정 효율성 증대, 새로운 고급 애플리케이션 개발을 위한 맞춤형 실리콘 웨이퍼 솔루션 제공 능력.광범위한 제품 포트폴리오 및 맞춤형 솔루션: 150-200mm 직경의 SSP, DSP, SOI, 패턴, 고저항 RFSi®, 전력, TSV 웨이퍼 등 시장에서 가장 광범위한 웨이퍼 포트폴리오를 제공. 고객의 특정 공정 및 제품 요구 사항에 맞춰 수율 향상, 공정 효율성 증대, 새로운 고급 애플리케이션 개발을 위한 맞춤형 실리콘 웨이퍼 솔루션 제공 능력.
- 수직 통합 생산 및 품질 관리: 자체 크리스탈 성장 및 웨이퍼링 공정을 통해 SSP, DSP, SOI 웨이퍼의 탁월한 품질과 짧은 시장 출시 시간을 보장. 1990년대부터 자동차 산업용 DSP 웨이퍼 공급업체로 인증받아 가장 엄격한 반도체 품질 표준을 충족하는 오랜 역사를 보유. ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 표준에 따른 품질 및 환경 시스템 운영.수직 통합 생산 및 품질 관리: 자체 크리스탈 성장 및 웨이퍼링 공정을 통해 SSP, DSP, SOI 웨이퍼의 탁월한 품질과 짧은 시장 출시 시간을 보장. 1990년대부터 자동차 산업용 DSP 웨이퍼 공급업체로 인증받아 가장 엄격한 반도체 품질 표준을 충족하는 오랜 역사를 보유. ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 표준에 따른 품질 및 환경 시스템 운영.
- 지속적인 R&D 투자 및 혁신: 핀란드 반타 공장에 2017년부터 2025년까지 약 5억 유로를 투자하여 생산 능력을 확장하고 신규 패터닝 라인 및 SOI, 고저항 RFSi®, 전력 웨이퍼 생산을 증대. 2020년 SOI 웨이퍼 생산 능력 두 배 증설, 2026년 초 200mm 웨이퍼 생산량 증대를 위한 대규모 공장 확장 완료. WIBASE, TimeZero, ARCTIC EU 프로젝트 등 다양한 R&D 프로젝트에 참여하며 차세대 기술 개발에 기여.지속적인 R&D 투자 및 혁신: 핀란드 반타 공장에 2017년부터 2025년까지 약 5억 유로를 투자하여 생산 능력을 확장하고 신규 패터닝 라인 및 SOI, 고저항 RFSi®, 전력 웨이퍼 생산을 증대. 2020년 SOI 웨이퍼 생산 능력 두 배 증설, 2026년 초 200mm 웨이퍼 생산량 증대를 위한 대규모 공장 확장 완료. WIBASE, TimeZero, ARCTIC EU 프로젝트 등 다양한 R&D 프로젝트에 참여하며 차세대 기술 개발에 기여.
- 글로벌 고객 기반 및 판매 네트워크: 핀란드, 독일, 프랑스, 미국, 일본, 싱가포르, 중국에 판매 및 고객 지원 조직을 운영하며 글로벌 고객에게 서비스를 제공. 한국, 대만 등에도 판매 대리점을 보유하고 있으며, 세계 유수의 반도체 기업들을 수십 년간 고객으로 확보하며 강력한 고객 관계 구축.글로벌 고객 기반 및 판매 네트워크: 핀란드, 독일, 프랑스, 미국, 일본, 싱가포르, 중국에 판매 및 고객 지원 조직을 운영하며 글로벌 고객에게 서비스를 제공. 한국, 대만 등에도 판매 대리점을 보유하고 있으며, 세계 유수의 반도체 기업들을 수십 년간 고객으로 확보하며 강력한 고객 관계 구축.
- 적용 산업
- MEMS 및 센서 (압력 센서, 가속도계, 마이크로폰, 관성 센서, 초음파 변환기 등)MEMS 및 센서 (압력 센서, 가속도계, 마이크로폰, 관성 센서, 초음파 변환기 등)
- RF 필터 및 장치 (BAW 필터, SAW 필터, IPD, 실리콘 인터포저, RFIC, 양자 장치, RF 스위치, RF 타이밍 장치)RF 필터 및 장치 (BAW 필터, SAW 필터, IPD, 실리콘 인터포저, RFIC, 양자 장치, RF 스위치, RF 타이밍 장치)
- 전력 장치 및 전력 애플리케이션 (전력 장치 게이트 드라이버, 배터리 및 전력 관리 IC, 지능형 전력 모듈, 스마트 전력 장치)전력 장치 및 전력 애플리케이션 (전력 장치 게이트 드라이버, 배터리 및 전력 관리 IC, 지능형 전력 모듈, 스마트 전력 장치)
- 스마트폰 및 휴대용 장치스마트폰 및 휴대용 장치
- 자동차 전자 장치자동차 전자 장치
- 산업 및 헬스케어 시스템 (유체 전달 장치, 온도 센서, 바이오 센서, 유량 센서, 이식형 센서)산업 및 헬스케어 시스템 (유체 전달 장치, 온도 센서, 바이오 센서, 유량 센서, 이식형 센서)
- 사물 인터넷(IoT) 장치사물 인터넷(IoT) 장치
- 연결성 및 네트워킹 인프라연결성 및 네트워킹 인프라
- 데이터 센터 및 고성능 컴퓨팅데이터 센터 및 고성능 컴퓨팅
- 에너지 및 전기화 시스템에너지 및 전기화 시스템
- 메모리, 로직 및 혼성 신호 IC메모리, 로직 및 혼성 신호 IC
- 양자 컴퓨터 및 극저온 마이크로시스템 (ARCTIC EU 프로젝트)양자 컴퓨터 및 극저온 마이크로시스템 (ARCTIC EU 프로젝트)
- 주요 시장
- 일본, 중국, 홍콩, 한국, 말레이시아, 싱가포르, 대만일본, 중국, 홍콩, 한국, 말레이시아, 싱가포르, 대만
- 핀란드, 독일, 프랑스핀란드, 독일, 프랑스
- 미국미국
- 인증/특허
- ISO 9001:2015 (품질 경영 시스템)ISO 9001:2015 (품질 경영 시스템)
- ISO 14001:2015 (환경 경영 시스템)ISO 14001:2015 (환경 경영 시스템)
- IATF 16949:2016 (자동차 산업 품질 경영 시스템)IATF 16949:2016 (자동차 산업 품질 경영 시스템)
- Advanced Magnetic Czochralski (A-MCz®) 결정 성장 방식: 10,000 Ohm-cm 이상의 초고저항 웨이퍼를 가능하게 하는 독점적인 결정 성장 기술.Advanced Magnetic Czochralski (A-MCz®) 결정 성장 방식: 10,000 Ohm-cm 이상의 초고저항 웨이퍼를 가능하게 하는 독점적인 결정 성장 기술.
- C-SOI® (Cavity Silicon-On-Insulator) 기술: 내장형 밀봉 캐비티를 갖춘 SOI 웨이퍼로, MEMS 장치 제조 공정을 간소화하고 설계 자유도를 높이는 독점 기술.C-SOI® (Cavity Silicon-On-Insulator) 기술: 내장형 밀봉 캐비티를 갖춘 SOI 웨이퍼로, MEMS 장치 제조 공정을 간소화하고 설계 자유도를 높이는 독점 기술.
- E-SOI® (Enhanced SOI) 기술: 200mm 웨이퍼에서 ±0.1 μm의 뛰어난 소자층 두께 균일도를 제공하는 기술.E-SOI® (Enhanced SOI) 기술: 200mm 웨이퍼에서 ±0.1 μm의 뛰어난 소자층 두께 균일도를 제공하는 기술.
- Terrace Free SOI 기술: SOI 웨이퍼의 유효 면적을 최대화하고 웨이퍼당 칩 생산량을 늘리는 기술.Terrace Free SOI 기술: SOI 웨이퍼의 유효 면적을 최대화하고 웨이퍼당 칩 생산량을 늘리는 기술.
기업 소개
기업 위치
Piitie 2, 01510 Vantaa, Finland
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