첨단 메트롤로지 기술 탐구를 통한 물질의 본질에 다다르는 첨단 기계 물리 과학 탐구 기업. 최고 품질의 혁신적 Metrology 및 Inspection 장비를 개발, 제조, 공급하는 전문 기업. 반도체 및 첨단 산업 분야에 높은 정확도, 생산성, 신뢰성을 갖춘 검사·계측 솔루션 제공. 핵심 기술은 첨단 계측 센서와 최적의 알고리즘을 활용한 '알고리즘 기술'. 반도체 가치 사슬 전반에 걸쳐 연구 개발부터 최종 생산까지 혁신적인 공정 검사(MI) 및 계측 솔루션 제공 기업.첨단메트롤로지기술탐구를통한물질의본질에다다르는첨단기계물리과학탐구기업.최고품질의혁신적Metrology및Inspection장비를개발,제조,공급하는전문기업.반도체및첨단산업분야에높은정확도,생산성,신뢰성을갖춘검사·계측솔루션제공.핵심기술은첨단계측센서와최적의알고리즘을활용한'알고리즘기술'.반도체가치사슬전반에걸쳐연구개발부터최종생산까지혁신적인공정검사(MI)및계측솔루션제공기업.
대표 제품군/보유 기술대표제품군/보유기술
OptiMass (옵티매스), 극미세·극미소 반도체 웨이퍼 질량 계측 장비. 마이크로그램 수준의 웨이퍼 무게 측정 능력. 기존 외산 대비 10% 이상 향상된 처리량. 2022년 SK하이닉스 양산 라인에 공급된 이력. 차세대 극미세 질량 장비(OptiMax) 개발 중, 기존 대비 50% 개선된 측정 성능 및 속도 목표.OptiMass(옵티매스),극미세·극미소반도체웨이퍼질량계측장비.마이크로그램수준의웨이퍼무게측정능력.기존외산대비10%이상향상된처리량.2022년SK하이닉스양산라인에공급된이력.차세대극미세질량장비(OptiMax)개발중,기존대비50%개선된측정성능및속도목표.
ATLAN (Advanced Scanning Acoustic Tomography), 첨단 SAT 기술을 활용한 차세대 자동화 C-SAM 시스템. HBM 웨이퍼 및 웨이퍼 본딩 층 층간의 기포, 결함, 미세 균열 검사 기능. 회오리형 스피닝 스캔 방식 적용으로 HBM 검사 시간을 1시간에서 10분 안팎으로 5배 단축하는 기술. 비파괴 검사 방식 및 2.5D/3D IC 적층 결함 검사 솔루션. SK하이닉스와 공동 개발 및 생산 라인 적용 사례.ATLAN(AdvancedScanningAcousticTomography),첨단SAT기술을활용한차세대자동화C-SAM시스템.HBM웨이퍼및웨이퍼본딩층층간의기포,결함,미세균열검사기능.회오리형스피닝스캔방식적용으로HBM검사시간을1시간에서10분안팎으로5배단축하는기술.비파괴검사방식및2.5D/3DIC적층결함검사솔루션.SK하이닉스와공동개발및생산라인적용사례.
WARP Series (WARP™), 웨이퍼, PLP의 두께, TTV, 평탄도, 휨, 굴곡 등 형상을 나노미터 해상도로 측정하는 비접촉식 고정밀 웨이퍼 형상 측정기. RT-3500™, 다양한 반도체 웨이퍼의 두께와 표면 거칠기를 동시에 측정하는 하이브리드 계측 장비. 10nm 분해능 웨이퍼 두께, 두께편차, Warpage & Bow 측정 및 0.1nm 높이 분해능의 나노 단위 거칠기 및 3D 형상 정밀 측정 능력.WARPSeries(WARP™),웨이퍼,PLP의두께,TTV,평탄도,휨,굴곡등형상을나노미터해상도로측정하는비접촉식고정밀웨이퍼형상측정기.RT-3500™,다양한반도체웨이퍼의두께와표면거칠기를동시에측정하는하이브리드계측장비.10nm분해능웨이퍼두께,두께편차,Warpage&Bow측정및0.1nm높이분해능의나노단위거칠기및3D형상정밀측정능력.
DEEP-Via (딥비아), HBM 및 3D 로직 반도체 수직 적층을 위한 미세 구멍(비아 홀) 계측 장비. 3마이크로미터(㎛) 이하 구멍 계측 능력 및 빛의 반사와 굴절률을 통한 분광간섭광학계 기술 활용. 구멍 크기 및 깊이 측정, 고종횡비 1 대 20 수준의 정밀도.DEEP-Via(딥비아),HBM및3D로직반도체수직적층을위한미세구멍(비아홀)계측장비.3마이크로미터(㎛)이하구멍계측능력및빛의반사와굴절률을통한분광간섭광학계기술활용.구멍크기및깊이측정,고종횡비1대20수준의정밀도.
µGOI™ (Micro-GOI™), MOSFET의 Gate Oxide/High-K 박막의 전기적 특성을 실시간으로 측정하는 최첨단 인라인 계측기. 공정 불량 최소화 및 잠재적 전기특성 결함 사전 예방 기능. SK하이닉스 상생협력 지원 프로그램을 통한 개발 및 경쟁사 대비 10배 이상 높은 측정 정밀도.µGOI™(Micro-GOI™),MOSFET의GateOxide/High-K박막의전기적특성을실시간으로측정하는최첨단인라인계측기.공정불량최소화및잠재적전기특성결함사전예방기능.SK하이닉스상생협력지원프로그램을통한개발및경쟁사대비10배이상높은측정정밀도.
Filcon (분광 반사 계측 리플렉토메타) 및 Ellis (분광 타원계측 엘립소메타), 1nm~1000㎛ 투명 박막의 두께, 반사율, 투과율 측정 장비. 20um 이하 마이크로 스팟 정밀 국소 영역 측정 기능.Filcon(분광반사계측리플렉토메타)및Ellis(분광타원계측엘립소메타),1nm~1000㎛투명박막의두께,반사율,투과율측정장비.20um이하마이크로스팟정밀국소영역측정기능.
Nanomez, 비접촉 3D 프로파일러 (White Light Interferometer).Nanomez,비접촉3D프로파일러(WhiteLightInterferometer).
IR Microscopes System 보유.IRMicroscopesSystem보유.
머신 비전 검사 환경 개선을 위한 렌즈, 케이블, 커넥터, I/O 보드 등 비전 제품 및 솔루션 제공.머신비전검사환경개선을위한렌즈,케이블,커넥터,I/O보드등비전제품및솔루션제공.
경쟁 우위 포인트경쟁우위포인트
첨단 계측 센서와 최적의 알고리즘을 활용한 독자적인 '알고리즘 기술' 보유. 이는 물질의 본질에 다다르는 첨단 기계 물리 과학 탐구의 핵심 역량.첨단계측센서와최적의알고리즘을활용한독자적인'알고리즘기술'보유.이는물질의본질에다다르는첨단기계물리과학탐구의핵심역량.
외산 장비가 독점하던 웨이퍼 질량 계측 장비, HBM용 C-SAM, TSV 계측 장비 등 핵심 반도체 계측 장비의 성공적인 국산화 선도. 특히 SK하이닉스와의 공동 개발을 통한 국산화 및 양산 라인 적용 실현으로 기술 자립에 기여.외산장비가독점하던웨이퍼질량계측장비,HBM용C-SAM,TSV계측장비등핵심반도체계측장비의성공적인국산화선도.특히SK하이닉스와의공동개발을통한국산화및양산라인적용실현으로기술자립에기여.
웨이퍼 질량 계측 장비 처리량 10% 이상 향상, C-SAM 검사 시간 5배 단축, GOI 설비 경쟁사 대비 10배 이상 측정 정밀도 등 압도적인 성능 우위. 나노미터 해상도 및 0.1nm 높이 분해능의 초정밀 측정 능력 확보.웨이퍼질량계측장비처리량10%이상향상,C-SAM검사시간5배단축,GOI설비경쟁사대비10배이상측정정밀도등압도적인성능우위.나노미터해상도및0.1nm높이분해능의초정밀측정능력확보.
웨이퍼 미세 질량, 전기적 특성 인라인 계측부터 최첨단 C-SAM 기반 2.5D/3D IC 적층 결함 검사까지 폭넓은 기술 포트폴리오 및 통합 솔루션 제공. 반도체 가치 사슬 전반에 걸친 혁신적인 공정 검사 및 계측 솔루션 제공 역량.웨이퍼미세질량,전기적특성인라인계측부터최첨단C-SAM기반2.5D/3DIC적층결함검사까지폭넓은기술포트폴리오및통합솔루션제공.반도체가치사슬전반에걸친혁신적인공정검사및계측솔루션제공역량.
15년 이상 경력의 반도체 계측 분야 최고 기술진과 전문 석·박사급 연구원들의 숙련된 전문 인력 보유. 이는 지속적인 기술 혁신과 고품질 장비 개발의 원동력.15년이상경력의반도체계측분야최고기술진과전문석·박사급연구원들의숙련된전문인력보유.이는지속적인기술혁신과고품질장비개발의원동력.
Stand-alone부터 전자동 In-line 솔루션까지 고객 맞춤형 자동화 시스템 제공 능력. 다양한 고객 환경에 최적화된 유연한 솔루션 구축 가능성.Stand-alone부터전자동In-line솔루션까지고객맞춤형자동화시스템제공능력.다양한고객환경에최적화된유연한솔루션구축가능성.
적용 산업적용산업
반도체 산업 (Wafer FAB, Wafer Level Packaging, IC Packaging, HBM, 3D IC)반도체산업(WaferFAB,WaferLevelPackaging,ICPackaging,HBM,3DIC)